太湖湾科创带又传喜讯！首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆顺利下线，我国首条光子芯片中试线在滨湖规模化量产。
入选工信部“首批重点培育中试平台”名单不到1个月，位于上海交大无锡光子芯片研究院内的国内首条光子芯片中试线再次迎来重磅时刻：6月5日下午4点，无锡光量子芯片中试平台顺利下线首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆，同时超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片也实现规模化量产。
上海交大无锡光子芯片研究院院长金贤敏表示，无锡光量子芯片中试平台的“投产”，不仅标志着研究院构建起贯通“技术研发—工艺验证—规模量产”的全链条能力，更意味着我国自主可控的量子科技国际竞争力进一步提升。
光量子芯片是光量子计算的核心硬件载体，其产业化进程将推动我国在量子信息领域实现自主可控，更是抢占全球量子科技竞争制高点的战略支撑。此前，因共性关键工艺技术平台的缺失，我国光量子技术面临“实验室成果难以量产”的困境，是制约产业发展的“卡脖子”难题，而无锡光量子芯片中试平台的启用成为破局关键。
作为滨湖区竞速量子科技赛道的“头号工程”，也是区域未来产业地标，上海交大无锡光子芯片研究院于2022年底破土动工，并率先启动国内首条光子芯片中试线建设。2023年10月，研究院大楼封顶。2024年1月，中试线首批关键设备入场，同年9月，集光子芯片研发、设计、加工和应用于一体的无锡光量子芯片中试平台正式启用。如今，中试平台实现量产通线，首片晶圆成功下线，更彰显了项目建设的高效与成果。
走进上海交大无锡光子芯片研究院，只见无锡光量子芯片中试平台负责人正带领技术人员在设备前操作，经过光刻、薄膜沉积、刻蚀、检测等一系列流程，一片薄膜铌酸锂晶圆从平台上下线后，即刻送往封装产线批量生产薄膜铌酸锂调制器。
作为一种高性能光电材料，薄膜铌酸锂具备超快电光效应、宽带宽、低功耗等优势，在5G通信、量子计算等领域展现出巨大潜力。然而，由于薄膜铌酸锂材料脆性大，大尺寸薄膜铌酸锂晶圆的制备一直被行业视为挑战。
为了攻克薄膜铌酸锂晶圆的制备工艺难题，上海交大无锡光子芯片研究院为无锡光量子芯片中试平台引进了110台国际顶级CMOS工艺设备，覆盖了薄膜铌酸锂晶圆从光刻、薄膜沉积、刻蚀、湿法、切割、量测到封装的全闭环工艺。
依托尖端设备以及领先的纳米级加工能力，研究院在6寸薄膜铌酸锂晶圆上实现了110纳米高精度波导刻蚀，在兼顾高集成度的同时，调制带宽突破110GHz、插入损耗低至3.5dB以下，信号强度和抗干扰能力等性能指标达国际一流水平。
“一片直径6寸的晶圆可以切割出350颗芯片，这些芯片如同‘心脏’，驱动着高性能薄膜铌酸锂调制器高效运行。”中试平台负责人介绍，在滨湖达产后，无锡光量子芯片中试平台将具备年产1.2万片薄膜铌酸锂晶圆的量产能力。未来平台将与更多产业链上下游企业合作，加速科技成果转化落地，推动我国光子芯片核心器件从技术研发向产业化应用的实质性跨越。
中试平台，一头连着创新，一头连着产业。在不断提升自身科技创新能力的同时，无锡光量子芯片中试平台还在打造开放共享的服务生态，赋能产业发展。近期，中试平台将发布工艺设计包，薄膜铌酸锂晶圆制备的核心工艺参数与器件模型将全面纳入、开放共享，助力产业链企业快速完成从概念设计到流片验证再到量产的全流程闭环，显著缩短研发周期，让创新成果加速“落地生金”。
除了赋能产业发展，无锡光量子芯片中试平台还在与区域发展“双向奔赴”。当前，无锡滨湖正加快建设“人工智能+”标杆，高效能算力要素供给必不可少。中试平台创新提出"光传输+光计算"融合方案，既满足数据高速传输需求，也能实现数据大规模并行处理，加速算力中心等基础设施升级，破解算力瓶颈，助力无锡“人工智能+”标杆城市建设。
金贤敏表示，未来将以“核心技术+平台赋能+产业生态”为支撑，围绕芯、光、智、算等新一代信息技术进行科技成果转化及孵投一体的创业孵化，为光子计算、量子信息、6G通信、激光雷达等产业提供核心器件保障，助力无锡创建集群化、规模化发展的世界级光子芯谷创新生态体系，推动我国在新一轮科技革命中占据战略主动地位。
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